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华天科技推出eSinC也会引领先进封装的技术突破与Chiplet芯片封装清洗介绍

发布日期:2023-06-28 发布者:合明科技 浏览次数:5986

Chiplet的快速发展必然对封装技术提出更高的要求。当单个硅片被分割成多个芯粒,再把这些芯粒封装在一起,由于单颗硅片上的布线密度和信号传输质量远高于不同芯粒,这就要求必须要发展出高密度、大带宽布线的先进封装技术,尽可能提升在多个Chiplet之间布线的数量并提升信号传输质量。

当前,Chiplet所采用的先进封装主要有以下三种形式:一是在有机基板上直接进行系统集成, 二是在有机基板上嵌入硅桥后进行集成,三是采用2.5D封装工艺,如台积电的CoWoS工艺。这三种封装形式都需要有机基板,因为高端基板的产能欠缺,给封装厂造成了很大的挑战,也形成了很高的技术门槛。

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eSinC工艺的优势在此完全体现。由于不需要有机基板,eSinC克服了上述三种封装形式门槛高的问题,因此成为封装厂实现Chiplet封装的重要方案,更有利于整个技术的推广。

为了适应Chiplet技术发展的节奏,华天科技还为eSinC技术规划了三个发展目标。首先,随着集成的芯片数量不断增多,单颗芯片的尺寸也越来越大,封装尺寸会逐渐增大;第二,TSV深宽比越来越大,pitch尺寸减小;第三,RDL线宽线距越来越小,层数会越来越多,以应对芯片功能强大以后1/0密度不断增加的趋势。

Chiplet在国内刚刚起步,业界很多用于Chiplet的3D封装技术都是以台积电的3D fabric为蓝本进行技术创新。但是,华天科技推出的eSinC技术属于独立自主开发的Chiplet封装技术,无论是对公司打开Chiplet高端封装技术领域,还是对国内发展Chiplet产业都具有重大意义。未来,在此技术基础上进一步结合fine pitch RDL、hybrid bond、高级基板等平台技术,可以进一步提升封装密度,建立完整的Chiplet封装平台。

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发展独立的封装技术,对国内整个Chiplet封装产业链也有很大的拉动作用,特别是国产化装备和国产化材料将会迎来新的发展机遇。当前,先进封装所需的关键设备,如刻蚀机、PVD等和部分材料已实现了国产化,但还有一些后端设备和关键材料需要攻关,而以eSinc技术为引领,将会加快这些环节的国产化进度。同时,eSinC也会引领先进封装的技术突破,如Fine pitch RDL,Interposer、混合键合、大颗FCBGA技术等

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在全球科技竞争日益激烈的大环境和国内半导体关键技术面临封锁的背景下,要发展我们独立自主的Chiplet技术,要在技术上实现创新,以eSinc这样的独创技术为引导,进一步推动先进封装关键设备、关键材料的国产化,改变关键设备、关键材料依赖进口的被动局面,早日实现供应链的自主可控。


Chiplet芯片封装清洗:合明科技研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。

推荐使用合明科技水基清洗剂产品。


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以上为本公司一些经验的累积,因工艺问题内容广泛,没有面面俱到,只对常见问题作分析,随着电子产业的不断更新换代,新的工艺问题也不断出现,本公司自成立以来不断的追求产品的创新,做到与时俱进,熟悉各种生产复杂工艺,能为各种客户提供全方位的工艺、设备、材料的清洗解决方案支持。

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