先进封装技术5G手机中的应用需要介绍(5G电子产品清洗剂）

先进封装技术5G手机中的应用需要介绍

下面从技术层面看一下市场对先进封装技术的需求，这里主要谈一下5G。

随着手机越来越轻薄，在有限的空间里要塞入更多组件，这就要求芯片的制造技术和封装技术都要更先进才能满足市场需求。特别是在5G领域，要用到MIMO技术，天线数量和射频前端（RFFE）组件（PA、射频开关、收发器等）的数量大增，而这正是先进封装技术大显身手的时候。

目前来看，SIP（系统级封装）技术已经发展到了一个较为成熟的阶段，由于SoC良率提升难度较大。为了满足多芯片互联、低功耗、低成本、小尺寸的需求，SIP是一个不错的选择。SIP从封装的角度出发，将多种功能芯片，如处理器、存储器等集成在一个封装模块内，成本相对于SoC大幅度降低。另外，晶圆制造工艺已经来到7nm时代，后续还会往5nm、3nm挑战，但伴随而来的是工艺难度将会急剧上升，芯片级系统集成的难度越来越大。SIP给芯片集成提供了一个既满足性能需求又能减少尺寸的解决方案。

而为了满足5G的需求，在SIP的基础上，封装技术还在演进。通过更先进的封装技术，可解决产品尺寸过大、耗电及散热等问题，并利用封装方式将天线埋入终端产品，以提升传输速度。

以5G手机为例，应用讲究轻薄短小、传输快速，且整体效能取决于核心的应用处理器（AP）芯片，而随着5G高频波段的启用，负责传输信号的射频前端（RFFE）和天线设计也越来越复杂，需要先进封装技术的支持。

下面就从AP、RFFE和天线这三方面看一下先进封装技术是如何应用的。

AP方面

要提升AP性能，除了晶圆制程微缩，还要依靠封装技术协助，这里主要是以 POP（Package on package）封装为主，通过POP堆叠DRAM，能有效提升芯片间的传输效率并减小体积。连接方式从传统的打线（wire bonding）、覆晶（Filp chip）等，演进到目前的扇出型（Fan-out）封装。扇出型封装主要是利用RDL布线减少使用载板（substrate）。通过减少载板的使用，间接达到效能提升、改善散热、减小产品尺寸，降低成本的目的。因此，AP多以扇出型POP封装为主。

RFFE方面

Omdia分析了三星的5G手机Galaxy S20。该手机的RFFE不仅支持2G / 3G / 4G，还支持sub-6 GHz和毫米波5G。集成的PA是主要RFFE组件，其在很大程度上决定了该5G射频前端的复杂性，要提升集成度，就必须采用更先进的封装技术。

5G设备电子组件，制造焊接过程中，必然使用到锡膏和助焊剂进行工艺加工，在基板和组件上留下了焊剂或焊膏残留物，如未经处理，在使用环境中，由于温度和湿度的联合作用，非常有可能产生残留物引起的电化学腐蚀或电化学迁移的现象，引起基板和组件电气性能偏离、线路短路乃至完全失效，而造成5G设备功能破坏，形成可靠性风险。

5G信号高频传输的特性，对信号传输导体的材质、表面状态以及表面附着物都有严格的要求，以保障5G信号传输趋肤效应的有效性，降低信号传输的失真和增益损耗。目前还没有一种助焊剂和锡膏的残留能够确保对5G信号趋肤效应没有影响或可以忽略。因此，必然必须将表面的附着物，特别是助焊剂和锡膏残留物彻底清除干净，才可保证趋肤效应的有效性。

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