AlGaN(氮化铝镓)—来看看令人瞩目的下一代功率电子材料(与功率电子清洗)
AlGaN—来看看令人瞩目的下一代功率电子材料!
铝镓氮(AlGaN),也称为氮化铝镓,是由铝、镓、氮构成的三元化合物,属于氮化物半导体,是一种重要的宽带隙半导体材料,此外还具有电子亲和势极低、化学稳定性优等特点。
SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)作为功率电子器件晶体管的半导体材料的研发已经取得进展,并且已经开始实用化。通常由轻元素构成的半导体的介电击穿电阻较高,但是如果将GaN中的一部分Ga替换为较轻的Al并制成AlGaN(氮化铝镓),则将获得具有优异的介电击穿电阻的晶体。因此,具有更高介电击穿电阻的AlGaN作为下一代功率电子材料被寄予厚望。
一、AlGaN材料性质
化学性质方面,AlGaN材料继承了AlN和GaN优秀的化学稳定性。在室温下,不与水、强碱和强酸反应;在高温下,与碱缓慢反应。优秀的化学稳定性决定了AlGaN基器件适用于多种极端环境。
物理性质方面,AlGaN材料具有极高的熔点,导热系数高。同时,该材料的质地坚硬,非常适用于制备高温高压等环境中工作的器件。此外,AlN、GaN和AlGaN在晶格常数以及导带价带位置上有差距,因此在形成异质结时,会产生自发的极化,并且表现出一定的压电特性,可以用来制备压电器件。再者,AlGaN材料还具有较大介电常数,因此也能用来制备高频高功率器件。
电学性质方面,电场强度在一定程度上对于AlGaN的电子迁移率影响较小,该特性使得AlGaN材料可以用来制备微波器件。由于材料真空电离能较高,且化学惰性很强,因此难以实现欧姆接触,尤其是p型欧姆接触。目前,主要通过在AlGaN表面额外生长一层p型GaN来实现p型欧姆接触。
光学性质方面,AlGaN是直接带隙半导体,具有很高的发光效率。在带隙宽度方面,通过调整Al:Ga比例可以实现带隙在3.39-6.024eV间可调,极大地覆盖了紫外光区,并且包含了整个日盲区,目前GaN/AlGaN异质结构是日盲探测器的首选。此外,AlN的电子亲和能只有0.6eV,在某些条件下甚至能为负值,这意味着Al组分较高的AlGaN材料可以制备高效率的发光器件。目前,光学性质方面的优势是AlGaN材料吸引巨大研究热情的主要原因。
二、AlGaN材料制备
金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)在过去的20年里已经发展成为Ⅲ-Ⅴ族氮化物外延生长的主要技术。
1967年,Manasevit等研究者发现,金属有机化合物三甲基镓(CH3)3Ga和氢化物的气相混合物,在H2气氛中在600-700℃温度下热解,可以用来生长GaN材料,自此MOCVD进入了研究人员的视野。
在80年代之后,这项技术有了更快的发展,采用MOCVD技术可以在大衬底基片上沉积得到均匀的外延层,尤其在Ⅲ族氮化物生长领域。经过一段时间的持续发展,九十年代后,MOCVD已经成为了GaN、AlGaN等半导体材料及其相关器件的重要生长方法。
使用MOCVD设备生长AlGaN材料,其基本原理是将Ⅲ族元素金属有机化合物源和Ⅴ族化合物的氮源,通过载气进入反应室,并在反应室内部充分混合,在反应室的反应分为多个步骤来完成:
首先是Ⅲ族源气和氮源的裂解反应,TMGa和NH3通过反应生成反应前驱体和副产物;裂解反应的产物会沉积在底部衬底的表面,同时TMGa和NH3也会在进入反应室后,向衬底上逐步扩散;沉积在衬底上的前驱体在表面发生迁移和扩散,与到达衬底的NH3发生反应,在高温反应下产生最终产物和副产物;随后最终未反应的源分子,反应副产物等会在载气的携带下,离开反应室,进入设备后续的尾气处理流程。
三、功率电子清洗
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