自旋电子器件制造工艺新突破，或成半导体芯片行业新标准
近日，美国明尼苏达双城大学研究人员和国家标准与技术研究院（NIST）的联合团队开发了一种制造自旋电子器件的突破性工艺，该工艺有可能成为半导体芯片新的行业标准。半导体芯片是计算机、智能手机和许多其他电子产品的核心部件，新工艺将带来更快、更高效的自旋电子设备，并且使这些设备比以往更小。研究论文发表在最近的《先进功能材料》上。
图片来源：《先进功能材料》
自旋电子学对于构建具有新功能的微电子设备来说非常重要。半导体行业不断尝试开发越来越小的芯片，最大限度地提高电子设备的能效、计算速度和数据存储容量。自旋电子设备利用电子的自旋而不是电荷来存储数据，为传统的基于晶体管的芯片提供了一种有前途且更有效的替代方案。这些材料还具有非易失性的潜力，这意味着它们需要更少的能量，并且即使在移除电源后也可存储内存和执行计算。
十多年来，自旋电子材料已成功集成到半导体芯片中，但作为行业标准的自旋电子材料钴铁硼的可扩展性已达到极限。目前，工程师无法在不失去数据存储能力的情况下制造小于20纳米的器件。
明尼苏达大学研究人员通过使用铁钯材料替代钴铁硼，可将材料缩小到5纳米的尺寸，从而克服了这一难题。而且，研究人员首次能够使用支持8英寸晶圆的多室超高真空溅射系统在硅晶圆上生长铁钯。
该论文的第一作者Deyuan Lyu表示:“这项工作在世界上首次表明，可以在半导体行业兼容的基板上生长这种材料，它可以缩小到小于5nm，即所谓的CMOS+X策略。” 这一突破也将推动自旋电子器件在半导体芯片技术领域的进一步发展，带来更快、更高效的自旋电子设备，如计算机、智能手机和许多其他电子产品，并且使这些设备比以往更小。
来源：科技日报
上一篇：波峰焊设备保养是指保养哪些部位
下一篇：全球航空航天和军工品牌价值25强2023排行榜（中国两家品牌上榜）
【阅读提示】
以上为本公司一些经验的累积，因工艺问题内容广泛，没有面面俱到，只对常见问题作分析，随着电子产业的不断更新换代，新的工艺问题也不断出现，本公司自成立以来不断的追求产品的创新，做到与时俱进，熟悉各种生产复杂工艺，能为各种客户提供全方位的工艺、设备、材料的清洗解决方案支持。
【免责声明】
1. 以上文章内容仅供读者参阅，具体操作应咨询技术工程师等；
2. 内容为作者个人观点， 并不代表本网站赞同其观点和对其真实性负责，本网站只提供参考并不构成投资及应用建议。本网站上部分文章为转载，并不用于商业目的，如有涉及侵权等，请及时告知我们，我们会尽快处理；
3. 除了“转载”之文章，本网站所刊原创内容之著作权属于合明科技网站所有，未经本站之同意或授权，任何人不得以任何形式重制、转载、散布、引用、变更、播送或出版该内容之全部或局部，亦不得有其他任何违反本站著作权之行为。“转载”的文章若要转载，请先取得原文出处和作者的同意授权；
4. 本网站拥有对此声明的最终解释权。
